编译/VR陀螺

近日，来自复旦大学的研究人员与北京大学的研究人员合作，开发出了适用于光I/O的高性能Micro-LED阵列，该阵列制备在金刚石衬底上。并成立商业化公司Nexliumen推动技术落地，目前该公司已完成1500万元人民币种子轮融资，用于加速相关产品研发与产业化。

该研究融合了长波长InGaN外延、三量子阱有源区设计、金刚石异质集成、转移印刷以及双光子微透镜制造等多项关键技术，成功开发出适用于高速光互连的高性能Micro-LED阵列。研究人员表示，相比传统玻璃衬底，金刚石衬底具备更优异的散热能力，可有效抑制器件自发热，在实现高速运行的同时提升能效表现。

同时，研究人员展示了黄色和红色的InGaN Micro-LED，通过超晶格应变工程和三周期量子阱设计进行了优化。这些Micro-LED被转印到金刚石上，并通过双光子光刻制造微透镜以优化耦合。

据研究团队相关报告显示，20微米的黄色Micro-LED在6.25 A/cm²电流密度下实现了2850.4 MHz的电-光带宽，而20微米的红色器件在50 A/cm²下达到了2593.4 MHz。在通过1米光纤链路的开关键控（OOK）调制下，20微米和40微米的黄色器件分别在25 µA（6.25 A/cm²）和50 µA（3.125 A/cm²）下实现了1.5 Gbps的速率，对应的能量效率分别为0.056 pJ/bit和0.110 pJ/bit。

据了解，随着AI眼镜和空间计算设备对高带宽、低功耗芯片互连需求不断增长，相关技术未来有望应用于下一代XR计算平台。

来源：Micro-LED-info